安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM
31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術相比，安森美EliteSiC
SPM 31
IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而實現比市場上其他領先解決方案更低的整體系統成本。這些IPM改進了熱性能、降低了功耗，支持快速開關速度，非常適用于三相變頻驅動應用，如AI數據中心、熱泵、商用暖通空調（HVAC）系統、伺服
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EliteSiC 三相變頻驅動
EliteSiC功率集成模塊如何賦能電動汽車充電設施？安森美電源解決方案事業部，工業電源部，副總裁兼總經理Sravan Vanaparthy從產品性能、設計優勢、核心應用等角度展開了深入講解。EliteSiC功率集成模塊系列有什么亮點？安森美最新推出了用于電動汽車充電站的最新EliteSiC 功率集成模塊系列，其中集成了最新一代碳化硅MOSFET
"M3S"。該系列提供了九種不同的模塊選項，具有不同的導通電阻（RDS(on)）、封裝尺寸和配置，以滿足不同的終端市場需求。產品的多樣性是
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EliteSiC 仿真工具 電路仿真 充電站
不斷提升能效的需求影響著汽車和可再生能源等多個領域的電子應用設計。對于電動汽車 (EV) 而言，更高效率意味著更遠的續航里程；而在可再生能源領域，發電效率更高代表著能夠更充分地將太陽能或風能轉換為電能。圖1.在電動汽車和可再生能源領域，對更高效率的不懈追求正推動著設計向前發展這兩大領域都廣泛采用開關電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關系遵循歐姆定律，也就是說電路中產生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當電壓加倍時，電路中的電流會減半，因而損耗會降到四分之一。根據這個原理，為了減
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高電壓 高電壓 轉換器 逆變器 MOSFET 電力電子 EliteSiC
2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布與Kempower達成戰略協議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴展的電動汽車（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產品在內的各種功率半導體技術，開發電動汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。 安森美為Kempower 的Satellit
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安森美 Kempower 充電樁 EliteSiC MOSFET 電動汽車快充
全新產品系列包括快速開關MOSFET和半橋功率集成模塊，具備領先行業的每開關超低導通電阻Rds(on)，采用行業標準封裝2023 年 5 月 10日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統成本。全新產品系列包括有助于提高開關速度的EliteSiC MOSFET和模塊，以適配越來越多的800 V電動汽車（EV）車載充電器（OBC）和電動汽車直流快充、
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安森美 EliteSiC M3S
2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經過優化，可為能源基礎設施和工業驅動應用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工業應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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貿澤 安森美 EliteSiC 碳化硅
2023年1月4日 — 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業碳化硅方案領域的領導者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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